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ZnGeP2 — Un'ottica non lineare a infrarossi saturi

Breve descrizione:

Grazie ai grandi coefficienti non lineari (d36=75pm/V), all'ampio intervallo di trasparenza dell'infrarosso (0,75-12μm), all'elevata conduttività termica (0,35W/(cm·K)), all'elevata soglia di danno laser (2-5J/cm2) e proprietà di lavorazione, ZnGeP2 è stato definito il re dell'ottica non lineare a infrarossi ed è ancora il miglior materiale di conversione di frequenza per la generazione di laser a infrarossi sintonizzabili ad alta potenza.


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Descrizione del prodotto

Grazie a queste proprietà uniche, è noto come uno dei materiali più promettenti per applicazioni ottiche non lineari.ZnGeP2 può generare un'uscita laser sintonizzabile continua da 3-5 μm attraverso la tecnologia di oscillazione ottica parametrica (OPO).I laser, che operano nella finestra di trasmissione atmosferica di 3–5 μm, sono di grande importanza per molte applicazioni, come la contromisura a infrarossi, il monitoraggio chimico, le apparecchiature mediche e il telerilevamento.

Siamo in grado di offrire ZnGeP2 di alta qualità ottica con coefficiente di assorbimento estremamente basso α <0,05 cm-1 (a lunghezze d'onda della pompa di 2,0-2,1 µm), che può essere utilizzato per generare laser sintonizzabile nel medio infrarosso con alta efficienza attraverso processi OPO o OPA.

La nostra capacità

La tecnologia Dynamic Temperature Field è stata creata e applicata per sintetizzare il policristallino ZnGeP2.Attraverso questa tecnologia, in un unico ciclo sono stati sintetizzati più di 500 g di policristallino ZnGeP2 ad elevata purezza con grani enormi.
Il metodo del congelamento del gradiente orizzontale combinato con la tecnologia del collo direzionale (che può ridurre la densità delle dislocazioni in modo efficiente) è stato applicato con successo alla crescita di ZnGeP2 di alta qualità.
Lo ZnGeP2 di alta qualità a livello di chilogrammo con il diametro più grande del mondo (Φ55 mm) è stato coltivato con successo con il metodo Vertical Gradient Freeze.
La ruvidità superficiale e la planarità dei dispositivi a cristalli, rispettivamente inferiori a 5Å e 1/8λ, sono state ottenute mediante la nostra tecnologia di trattamento superficiale trappato.
La deviazione angolare finale dei dispositivi a cristallo è inferiore a 0,1 gradi a causa dell'applicazione di un orientamento preciso e di tecniche di taglio precise.
I dispositivi con prestazioni eccellenti sono stati ottenuti grazie all'alta qualità dei cristalli e alla tecnologia di lavorazione dei cristalli di alto livello (il laser sintonizzabile nel medio infrarosso da 3-5μm è stato generato con un'efficienza di conversione superiore al 56% quando pompato da una luce da 2μm fonte).
Il nostro gruppo di ricerca, attraverso la continua esplorazione e innovazione tecnica, ha padroneggiato con successo la tecnologia di sintesi del policristallino ZnGeP2 ad elevata purezza, la tecnologia di crescita di ZnGeP2 di grandi dimensioni e di alta qualità e l'orientamento dei cristalli e la tecnologia di elaborazione ad alta precisione;può fornire dispositivi ZnGeP2 e cristalli originali cresciuti su scala di massa con elevata uniformità, basso coefficiente di assorbimento, buona stabilità ed elevata efficienza di conversione.Allo stesso tempo, abbiamo creato un'intera serie di piattaforme di test delle prestazioni dei cristalli che ci consentono di fornire servizi di test delle prestazioni dei cristalli ai clienti.

Applicazioni

● Generazione di seconda, terza e quarta armonica del laser CO2
● Generazione parametrica ottica con pompaggio ad una lunghezza d'onda di 2,0 µm
● Generazione della seconda armonica del laser a CO
● Produzione di radiazione coerente nell'intervallo submillimetrico da 70,0 µm a 1000 µm
● La generazione di frequenze combinate di radiazioni laser a CO2 e CO e altri laser funzionano nella regione della trasparenza del cristallo.

Proprietà di base

Chimico ZnGeP2
Simmetria e classe cristallina tetragonale, -42m
Parametri del reticolo a = 5,467Å
c = 12.736Å
Densità 4.162 g/cm3
Durezza di Mohs 5.5
Classe ottica Uniassiale positivo
Gamma di trasmissione utile 2,0 µm - 10,0 µm
Conduttività termica
@T=293 K
35 W/m∙K (⊥c)
36 W/m∙K ( ∥ c)
Dilatazione termica
@ T = da 293 K a 573 K
17,5 x 106 K-1 (⊥c)
15,9 x 106 K-1 ( ∥ c)

Parametri tecnici

Tolleranza sul diametro +0/-0,1 mm
Tolleranza sulla lunghezza ±0,1 mm
Tolleranza all'orientamento <30 arcomin
Qualità della superficie 20-10 SD
Planarità <λ/4@632.8 nm
Parallelismo <30 secondi d'arco
Perpendicolarità <5 arcomin
Smussare <0,1 mm x 45°
Gamma di trasparenza 0,75 - 12,0 µm
Coefficienti non lineari d36 = 68,9 pm/V (a 10,6μm)
d36 = 75,0 pm/V (a 9,6 μm)
Soglia di danno 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm
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